VISHAY功率 MOSFET 已成為標準選擇用于低壓 (<200 V) 開關模式的主開關器件電源 (SMPS) 轉換器應用。選擇VISHAY  MOSFET 的主要標準是功率與VISHAY  MOSFET 相關的損耗（與整體SMPS的效率）和功耗能力VISHAY MOSFET的（與最大結溫有關和封裝的熱性能） 。影響閘機的因素有很多VISHAY MOSFET，有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結構的基礎可以被解釋。本應用筆記詳細介紹了基本結構溝槽VISHAY  MOSFET 結構，識別寄生組件和定義相關術語。VISHAY  MOSFET 具有多種拓撲、開關速度、負載電流和可用的輸出電壓，VISHAY  MOSFET 已成為無法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能。VISHAY  MOSFET 在在某些情況下，導通電(rDS(on)) 損失占主導地位，而在其他情況下，VISHAY  MOSFET 是開關損耗瞬態(tài)電流和電壓波形，或損失與驅動器件的柵極相關聯(lián)。VISHAY  MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導地位的損失。

 

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